掺杂
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关键词:复合掺杂材料 阴极材料 燃料电池 固体氧化物燃料电池
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关键词:ZnO:B薄膜 MOCVD 光学性质 电学性质 低温生长
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关键词:场致发射 金刚石薄膜 掺杂 场致发射显示器件
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关键词:四针状氧化锌晶须 高分子复合材料 改性 功能复合材料
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关键词:离子注入 退火温度 血液相容性
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关键词:Ti-O-N薄膜 光吸收限 XPS XRD 禁带宽度
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本发明提供一种磁光记录靶材及其生产工艺,属于光盘、磁光盘制造技术领域。利用轻、中稀土元素的高饱和磁化强度、高磁晶各向异性、高磁光效应的优点,对传统的铽铁钴磁光材料进行轻、中稀土掺杂。采用磁悬浮熔炼技术熔炼基靶合金,基靶合金成分为铁钴合金。将纯铽和轻稀土线切割成扇片或圆片,对称地镶嵌在铁钴合金基靶刻蚀最大的圆环区内制成复合靶,通过调节铽片、轻稀土片的数量与位置或改变基靶合金含量,来改变靶材成分。采用磁悬浮熔炼技术熔炼靶材合金,熔炼过程中,合金在磁场中被悬浮于坩埚中,同时在磁场作用下,对合金进行搅拌,保证合金成分的均匀性,并避免了因使用石英坩埚所导致的高成本和效率低的问题。用于光盘、磁光盘制造。
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一种掺杂二硼化镁超导材料的制备方法,其作法是:按摩尔比1∶0.7-2.5 分别称量镁粉和硼粉;再按镁粉和硼粉的总质量与掺杂物的质量比1∶0.01-1 称量掺杂物,掺杂物为山梨酸或山梨酸盐中的一种;将镁粉、硼粉和掺杂物的 粉末均匀混合成混合粉末;然后在氩气气氛保护下进行烧结,烧结的温度为600 ℃-1200℃、保温时间0.5-12个小时,即得。该方法制备时间短,反应温度低, 效率高,成本低,尤其适合于工业化生产;利用该法制备的二硼化镁超导材料, 临界电流密度显著提高,尤其是在高磁场下临界电流密很高,有利于其在高磁 场下的应用,实用性强。
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本发明公开了一种四针状氧化锌晶须T-ZnOw表面原位合成导电 聚苯胺PANi的方法,包含以下步骤:将四针状氧化锌晶须T-ZnOw 于100-140℃干燥2-8小时分散到无水乙醇溶液中,加入硅烷偶联 剂,搅拌0.5-3h后升温至70-95℃,恒温搅拌回流8-12h;反应产物 经醇洗和水洗、干燥后分散到无水乙醇中,加入苯胺单体,0.5mol/L 盐酸溶液,在冰水浴中搅拌30min,并保持0-5℃;在搅拌状态下, 通过滴加方式加入过硫酸铵和蒸馏水组成的溶液,维持0-5℃反应 6-8h;反应产物经过滤和水、酮洗涤后干燥得到PANi包覆T-ZnOw产 物;该产物在pH=0-2的盐酸溶液中室温条件下搅拌反应6-18h, 过滤后真空干燥得到盐酸掺杂的导电PANi/T-ZnOw。其导电率通过掺 杂控制。
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