氧化锌透明导电薄膜生长及其光电特性研究_中文_会议论文

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氧化锌透明导电薄膜生长及其光电特性研究

更新时间：2019-05-21 访问次数：

作者：孟凡英，胡宇，余跃波

作者联系方式：上海交通大学物理系太阳能研究所;

关键词：ZnO:B薄膜，MOCVD，光学性质，电学性质，低温生长

会议名称：第十届中国太阳能光伏会议

会议地点：中国江苏常州

召开年：2008

摘要：本研究工作采用MOCVD系统在低温的条件下生长ZnO薄膜,通过控制n型掺杂剂气体B_2H_6流速制备不同ZnO:B薄膜,利用Hall效应、紫外可见透射谱等手段对薄膜的光电性能进行表征和分析。通过实验条件的优化获得高电导率和高光透过率的优质透明导电薄膜。本工作中的优化实验条件下制备的薄膜电阻率约为1.5×10~(-3)Ω.cm,可见光区域平均透射率接近90%。

氧化锌透明导电薄膜生长及其光电特性研究

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