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网格状CuxS/Cu2O,x=1.75~2复合类金字塔薄膜的制备方法

一种网格状CuxS/Cu2O，x＝1.75～2复合类金字塔薄膜的制备方法，具体作法是：将方块面电阻为10-14欧的FTO，依次用HCl溶液、洗衣粉溶液、异丙醇溶剂超声洗净，晾干；取含CuSO4和乳酸的混合溶液，以FTO为工作电极，铂片为对电极，采用电压法沉积；沉积后取出FTO，清洗烘干得Cu2O类金字塔薄膜的FTO；再将其放入Na2S溶液中处理，清洗烘干即在FTO上得网格状CuxS/Cu2O复合类金字塔薄膜。该方法设备简单，能耗低，适合大规模生产；制得物对太阳光吸收波长范围宽，作为太阳能电池材料具有应用前景；可作为模版和反应介质直接合成其它具有窄禁带宽度的类金字塔形化合物，作为太阳能电池材料。
Ti-O-N薄膜的制备及其性能的研究
关键词：Ti-O-N薄膜光吸收限 XPS XRD 禁带宽度
近年来,TiO2光催化技术引起了人们的广泛重视,光催化技术不仅能处理多种有机物,而且还有很好的杀菌和抑制病毒活性的作用,但是TiO2只能在紫外光波段被激发,对太阳光可见光波段的利用率极低,而N掺杂TiO2可以吸收可见光,以提高可见光的利用,从而提高光催化效率。本文采用非平衡磁控溅射在O2和N2的混合气氛中制备Ti-O-N薄膜,研究了反应气体(N2+O2)
一种制备禁带宽度可调的硒化物薄膜的方法

本发明公布了一种制备禁带宽度可调的硒化物薄膜的方法，所述的硒化物薄膜为非晶态，组成通式为InxSe1-x，0.3≤x≤0.6，其作法是：对结晶态的In2Se3靶进行射频磁控溅射，沉积的薄膜即为所述的硒化物薄膜；调节溅射过程中的工艺参数即可调节制备物的禁带宽度。该方法能通过调节制备过程中的工艺参数实现硒化物薄膜的禁带宽度的调节，而无需进行掺入任何杂质元素，其制备工艺简单，对设备要求低，环保节能。
Mg掺杂对ZnO发光性能的影响

ZnO室温下的禁带宽度约为3.3 eV,在室温下的激子发射效率较高,在制备紫外探测器、半导体激光器和发光二级管等光电器件方面具有广阔的应用前景。MgO在室温下的禁带宽度为7.70eV,其品格常数与ZnO相近。Mg掺杂的ZnO可改变其能带结构,使其具备紫外或蓝光发射能力。并且研究工作已经证明Mg掺杂的ZnO其带隙明显变宽,且没有品格失配的现象产生。因此,Mg_xZn_1-xO在紫外发射与探

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