赵勇
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一种制备拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜的方法,其步骤是:a、高纯铋粉(Bi)和高纯硒粉(Se)按2:3.2的摩尔比,在氩气手套箱中称量,研磨,压片;再封入真空石英管中,置于管式炉中进行氩气保护气氛下的烧结,然后淬火,即得到Bi2Se3单晶块材;b、将a步的Bi2Se3单晶块材重新放入氩气手套箱中研磨成粉末;c、将b步制得的粉末放入蒸发镀膜机中,将粉末均匀蒸发到基片上,形成薄膜后取出;d、将c步所得薄膜再次封入气压小于1×10-2Pa的真空石英管中,置于管式炉中进行氩气保护气氛下的后退火处理,然后淬火,即在基片上得到Bi2Se3薄膜。该方法制备的薄膜平整致密,织构良好,具有典型的层状结构。
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