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刘蓉
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Si(111)衬底上非晶态GaN薄膜的晶化过程
关键词:非晶 GaN 多晶 GaN 氨气 Ga
采用磁控溅射法在 Si(111)衬底上直接淀积 GaN 薄膜。通过 X 射线衍射谱(XRD)、X 光电子能谱 (XPS)和扫描电子显微镜(SEM)研究 GaN 薄膜由非晶态向多晶态的转化过程.实验结果表明:(1)在 900℃氮气气氛中退火,非晶态 GaN 保持不变;(2)在 900℃氨气气氛中退火,虽然非晶态 GaN 转化为多晶态 GaN,但却出现中间相金属 Ga;(3)在非晶态 GaN 向多晶态 GaN 转化过程中,GaN 晶粒将逐渐增大。
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