Si(111)衬底上非晶态GaN薄膜的晶化过程
更新时间：2019-05-21
访问次数：7
作者联系方式：山东大学物理与微电子学院;山东体育学院基础理论系;
会议名称：第六届中国功能材料及其应用学术会议
会议地点：中国湖北武汉
召开年：2007
出版社：重庆仪器材料研究所、中国仪器仪表学会仪表材料分会、国家仪表功能材料工程技术研究中心
摘要：采用磁控溅射法在 Si(111)衬底上直接淀积 GaN 薄膜。通过 X 射线衍射谱(XRD)、X 光电子能谱 (XPS)和扫描电子显微镜(SEM)研究 GaN 薄膜由非晶态向多晶态的转化过程．实验结果表明：(1)在 900℃氮气气氛中退火,非晶态 GaN 保持不变；(2)在 900℃氨气气氛中退火,虽然非晶态 GaN 转化为多晶态 GaN,但却出现中间相金属 Ga；(3)在非晶态 GaN 向多晶态 GaN 转化过程中,GaN 晶粒将逐渐增大。
