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外加电压对用STM进行钛膜氧化结果的影响
更新时间：2019-05-21
访问次数：
作者：
黄萍
，
沈波
，
蒋建飞
，
蔡琪玉
，
程子川
作者联系方式：
黄萍,上海交通大学微/纳米科学技术研究院(上海);沈波,上海交通大学微/纳米科学技术研究院(上海);蒋建飞,上海交通大学微/纳米科学技术研究院(上海);蔡琪玉,上海交通大学微/纳米科学技术研究院(上海);程子川,上海交通大学微/纳米科学技术研究院(上海)
关键词：
扫描隧道显微镜
，
隧道结
，
STM
，
钛膜
，
氧化电压
会议名称：
第四届全国微米/纳米技术学术会议
会议地点：
上海
召开年：
2000
出版社：
《微米/纳米科学与技术》编辑部
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