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双离子束溅射淀积DLC膜的导电特性

更新时间:2019-05-21 访问次数:
作者:刘贵昂
会议名称:中国数学力学物理学高新技术交叉研究会第6届学术研讨会
会议地点:中国云南昆明
召开年:1996
摘要:用双离子束溅射法在50℃以下的玻璃、硅(Si)、钼(Mo)、不锈钢(简称 SS)基底上淀积了类金刚石(DLC)膜。研究了主源能量 E(即轰击离子能量)、轰击离子束流密度、轰击源内氢/氩流量比例及基底材料种类对淀积片导电特性的影响。通过三组实验,得出了电阻率随各参数的变化规率。由此得出了薄膜获得最高电阻率的最佳条件。本文还从结构上解释了上述规律.