大气中烧结多孔氮化硅的相变和氧化机理研究
更新时间：2019-05-21
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作者联系方式：北京航空航天大学材料科学与工程学院;
会议名称：第六届中国功能材料及其应用学术会议
会议地点：中国湖北武汉
召开年：2007
出版社：重庆仪器材料研究所、中国仪器仪表学会仪表材料分会、国家仪表功能材料工程技术研究中心
摘要：以α-Si_3N_4为原料,分别以 Y_2O_3-Al_2O_3和 MgO- Al_2O_3-SiO_2两个体系作为烧结助剂,在大气中对氮化硅坯体在1400～1550℃进行烧结．研究了烧结温度、烧结助剂体系对氮化硅的氧化程度、氧化产物的影响．结果表明,以 MgO-Al_2O_3-SiO_2作烧结助剂有利于α-Si_3N_4 转变为β-Si_3N_4,且该烧结助剂体系的的抗氧化能力也明显优于 Y_2O_3-Al_2O_3体系．氮化硅在不同温度烧结时形成的氧化产物不同．
