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TeGe基相变光盘材料快速晶化研究

更新时间:2019-05-21 访问次数:
关键词:光盘  材料  晶化速度  TeGe基
发明人:王之焘
作者单位:北京航空航天大学
内容提要: 本文用XPS谱等方法分析了加氧后的Te_(90)Ge_(109),Te_(89)Ge_8Sn_6等TeGe基相变光盘材料的快速晶化机理。指出在TeGe基材料中加适量的氧能充分改善晶化速率。
期刊名:激光与红外
期号:第3期
年份:1989
页数:19-26