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张勇
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全部(31)
计算机控制系统在峨山化肥厂干冰生产线中的应用
关键词:PLC 集散控制 通信协议 干冰生产
干冰生产过程自动监控是基于PLC的集散式控制系统;系统由上位计算机和PLC组成,对生产过程进行全程控制和管理;上位计算机通过监控画面对PLC进行参数设置,接受参数后PLC执行闭环控制;使用Citect组态软件设计各种监控画面;计算机与PLC间采用SYSMAC WAY协议进行通信;该系统配置灵活,控制可靠,编程简单且成本低;通过现场实际应用,控制效果良好,达到了预期的控制目的。
工控软件在热电偶自动检定系统中的应用
关键词:组态王 热电偶 检定系统
针对现有热电偶检定系统的现状和不足,本文对典型检定系统的各环节加以改进,利用KingACT工业控制软件实现炉温的自动调节,并运用组态软件对检定过程进行组态,使检定过程更加直观、方便。
一种(006)择优取向γ-In
2
Se
3
薄膜的制备方法
一种(006)择优取向γ-In2Se3薄膜的制备方法,属于材料技术领域。其步骤为:A:清洗基片,B:溅射In2Se3薄膜:在磁控溅射靶枪上安装高纯的铟硒靶,纯度达到99.99%,铟硒原子百分比接近2:3,调整溅射靶枪到基片的距离为6厘米,溅射薄膜前将真空室的本底真空抽到小于2×10-4Pa,通入99.995%的高纯氩气,调节溅射工作气压为0.1-0.5Pa,溅射功率为4W/cm2,衬底温度为360℃,待辉光稳定后,预溅射靶材10分钟以除去表面污染物。然后开始沉积薄膜,沉积时间为75~450秒后停止,得到具有(006)择优取向的单一γ相In2Se3薄膜。该薄膜结晶质量高,表面形貌均匀,没有空隙和裂缝。
一种(220)取向的铜铟镓硒薄膜制备方法
一种(220)取向的铜铟镓硒薄膜制备方法,其步骤主要是:A:清洗基片;B:预溅射;C:溅射沉积薄膜:保持溅射功率为5W/cm2,基片温度为320-380℃,并将氩气气压调节为1.0~4.0Pa进行10分钟的溅射;之后将氩气气压降低至0.5Pa,并在基片上施加20~30V的偏压,进行2小时的溅射,即得到具有(220)取向的铜铟镓硒薄膜。该方法用磁控溅射方法制备出(220)取向的CIGS薄膜,以其制备的电池转换效率高。且其制备工艺简单、成本低,制备过程中无毒无污染,适合于工业化生产。
NR传统硫化体系的抗硫化返原特性
关键词:NR 硫化 抗返原 硫化助剂
基于数字信号处理器控制的气保护焊接电源研制
关键词:数字信号处理器 焊接电源 气体保护焊 网压补偿 焊接稳定性
一种化学溶液沉积制备Gd2Zr2O7缓冲层的方法
本发明提供一种化学溶液沉积制备Gd2Zr2O7缓冲层的方法,其具体作法是:a、Gd2Zr2O7前驱溶液的制备:将适量的Gd(NO3)3.6H2O和ZrO(NO3)3.2H2O按照离子浓度Gd+3:Zr+4为1:1溶于羟乙基甲基醚中,加入氧化聚乙烯20000调节溶液的黏度,获得前驱溶液;b、湿膜的制备:将前驱溶液均匀涂覆在织构基带上,获得湿膜;c、干膜的制备:将湿膜进入干燥设备,去除薄膜中水份;d、分解成相:然后放入通有H2/Ar还原气氛的热处理炉内,先以1℃/min-5℃/min速率升温至350℃-600℃,让有机物和硝酸盐充分分解,后直接升温至成相高温区1100℃-1200℃,保温0.5-2小时,获得Gd2Zr2O7薄膜。该采用化学方法硝酸盐体系制作Gd2Zr2O7缓冲层成本低廉、工艺简单、操作容易控制、不污染环境,有利于大规模工业化生产。
一种化学溶液动态制备RexCe1-xOy缓冲层长带的方法
本发明公开了一种化学溶液动态制备RexCe1-xOy缓冲层长带的方法,其具体作法是:a、湿膜的制备:按稀土与铈的离子比配制硝酸盐混合物,并将其溶解在高分子有机溶剂中合成胶体。将胶体装入储液筒内,将基带安置在牵引带上,由步进电机带动前进,胶体由上置步进电机带动下压通过狭缝涂覆口涂覆于基带上,形成湿膜;b、干膜的制备:将涂覆好的湿膜通过恒温红外干燥区域,形成干膜;c、分解成相:将干膜通过长带气氛多区控温炉,在各温区H2/Ar还原气氛充足的保护下,通过350oC-520oC分解区,然后通过1000oC-1200oC结晶区,最后通过降温区,随炉冷却,即可制得涂层导体RexCe1-xOy缓冲层长带。该方法制备工艺与物理法相比简单易行、成本低、不污染环境,可获得任意长度临界厚度达到150-200nm的RexCe1-xOy缓冲层长带。
单块高温超导块材磁悬浮特性测试装置
本发明提供一种单块高温超导块材磁悬浮特性测试装置,其特征在于:包括有由顶板、底座以及固定杆构成一个固定支架,固定支架为竖直放置或平躺放置,便于对单块高温超导块材悬浮和导向力的测试,在顶板中间有一通孔,移动杆穿过该孔,通过伺服电机驱动移动杆上下移动,移动的位移由位移传感器测得,液氮低温容器固定连接在底座上,在液氮低温容器的下部连接用于测试悬浮系统的悬浮、导向力的力传感器,永磁体与位移传感器设置在一起。本发明与现有技术相比,可以在同一台装置上实现对系统静态悬浮和导向力,以及在外部磁扰动下的动态悬浮和导向力进行测试,该装置结构测试内容多样、结构相对简单,体积小,操作方便,避免了现有某些技术中的测试内容单一、结构复杂、操作繁琐以及成本高的缺陷。
一种高温超导涂层导体缓冲层Sm1-xCaxBiO3及其制备方法
本发明公开了一种制备高温超导涂层导体的Sm1-xCaxBiO3缓冲层及其制备的方法。一,提供了一种高温超导涂层导体的缓冲层,它是对高温超导涂层导体SmBiO3缓冲层进行Sm的Ca的替代后,将使SmBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调,从而调整SmBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情况,得到的一系列新的高温超导涂层导体的缓冲层Sm1-xCaxBiO3,其中0.1≤x≤0.4。此外,该缓冲层能在800℃左右空气中外延生长,其结构致密并且表面平整。并在随后的高温超导涂层导体的超导层的制备过程中保持结构的稳定。二,公开了Sm1-xCaxBiO3缓冲层的制备方法,该方法采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备,具有成本低廉,适合大规模沉积等优点。
一种高温超导涂层导体缓冲层Gd1-xPbxBiO3及其制备方法
本发明公开了一种制备高温超导涂层导体的Gd1-xPbxBiO3缓冲层及其制备的方法,对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Pb的替代后,将使GdBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调,从而调整GdBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情况,得到一系列新的高温超导涂层导体的缓冲层Gd1-xPbxBiO3,其中0.1≤x≤0.2。此外,该缓冲层能在810℃左右空气中外延生长,其结构致密并且表面平整。并在随后的高温超导涂层导体的超导层的制备过程中保持结构的稳定。公开了Gd1-xPbxBiO3缓冲层的制备方法,该方法采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备,成本低廉,适合大规模沉积等优点。
一种高温超导涂层导体缓冲层Eu1-xCaxBiO3及其制备方法
本发明公开了一种高温超导涂层导体的Eu1-xCaxBiO3缓冲层及其制备的方法。对高温超导涂层导体EuBiO3缓冲层进行Eu的Ca的替代后,使EuBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调,从而调整EuBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情况,得到一系列新的高温超导涂层导体的缓冲层Eu1-xCaxBiO3,其中0.1≤x≤0.4。此外,该缓冲层能在810℃左右空气中外延生长,其结构致密并且表面平整。并在随后的高温超导涂层导体的超导层的制备过程中保持结构的稳定。本发明Eu1-xCaxBiO3缓冲层的制备方法采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备,成本低廉,适合大规模沉积。
一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiO/SmBiO3复合缓冲层薄膜的方法
本发明公开了一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiO/SmBiO3复合缓冲层薄膜的方法,其复合缓冲层制备步骤包含。a、NiW合金(200)基片的表面腐蚀修饰,b、NiO缓冲层的氧化热处理、c、SmBiO3缓冲层胶体的制备,d、SmBiO3缓冲层的涂敷,e、SmBiO3缓冲层的烧结成相。本发明中NiO缓冲层的制备采用自氧化外延制备的方法,该方法的制作成本低,工艺简单,易制得品质良好的NiO(200)缓冲层薄膜,并且厚度容易控制,能有效地发挥涂层导体缓冲层的作用。在NiO缓冲层上生长SmBiO3缓冲层的制备采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备,成本低廉,适合大规模沉积。以SmBiO3缓冲层为主的复合缓冲层的工艺制备将打破国外其他涂层导体复合缓冲层工艺制备的保护与封锁,将为我国的第二代高温超导涂层导体的研究与应用化进程起到积极的推动作用。
一种制备钇钡铁氧陶瓷材料的方法
一种制备钇钡铁氧陶瓷材料的方法,其做法是:按制备钇钡铁氧YBa2Fe3O8的摩尔比Y∶Ba∶Fe=1∶2∶3称取原料Y(NO3)3·6H2O,Ba(OH)2·8H2O和Fe(NO3)3·9H2O;将原料研磨,并均匀混合得混合原料;称取摩尔比为1∶1的硝酸钾和硝酸钠的混合物作熔盐;熔盐与原料中的Y(NO3)3·6H2O的摩尔比为10~30∶1;将混合原料和熔盐均匀混合,盛入刚玉坩埚,放入箱式电炉中;先加热至150~300℃,保温3~5小时;再加热至600~850℃,保温15~30小时,混合原料在熔盐中反应生成粉体,冷却至室温;用蒸馏水和酒精冲洗反应器中的粉体,洗净后干燥即得。该方法制备的钇钡铁氧陶瓷材料,其化学组分易于控制、成分稳定、颗粒度均匀可控,且制备工艺简单。
一种制备高临界电流密度钆钡铜氧超导薄膜的方法
一种制备高临界电流密度钆钡铜氧超导薄膜的方法,其具体作法是:a、无氟前驱溶液制备:将乙酸钆、乙酸钡、乙酸铜及乙酸锌,按钆∶钡∶铜∶锌的化学计量比1∶2∶3-X∶X,0.0002≤X≤0.006的比例溶解于丙酸中,得前驱溶液;b、在a步的前驱溶液中,加入高分子材料聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或聚乙二醇(PEG),得到无氟涂层胶体;c、涂敷及干燥在基片上形成薄膜;d、将c步的制得的带薄膜基片进行分解热处理后再进行成相热处理,即得。该方法制得的锌掺杂的GdBCO超导薄膜具有双轴织构,表面平整,在磁场下的临界电流密度高。且其成本低廉、工艺简单,适合于大规模工业化生产。
一种制备禁带宽度可调的硒化物薄膜的方法
本发明公布了一种制备禁带宽度可调的硒化物薄膜的方法,所述的硒化物薄膜为非晶态,组成通式为InxSe1-x,0.3≤x≤0.6,其作法是:对结晶态的In2Se3靶进行射频磁控溅射,沉积的薄膜即为所述的硒化物薄膜;调节溅射过程中的工艺参数即可调节制备物的禁带宽度。该方法能通过调节制备过程中的工艺参数实现硒化物薄膜的禁带宽度的调节,而无需进行掺入任何杂质元素,其制备工艺简单,对设备要求低,环保节能。
激光熔覆Co基合金对轮轨材料磨损与损伤性能影响
关键词:激光熔覆 Co基合金 轮轨 磨耗 损伤机理
伴随着重载铁路运输的日益发展,货物运输能力得到了显著提高的同时,严重加剧了轮轨材料损伤,使得轮轨损伤成为重载铁路运输中亟待解决的关键技术难题.由于轮轨材料的损伤大多从表层开始,因此强化表层材料的性能对降低轮轨磨耗具有重要意义.在轮轨试样表面激光熔覆Co 基合金,分析了熔覆层的组织性能,并利用MMS-2A 微机控制滚动摩擦磨损试验机对其进行摩擦磨损模拟试验研究,同时分析了不同轴重下车轮熔覆处理对轮轨磨损损伤性能影响.研究结果表明:激光熔覆处理后在轮轨表面获得与基体良好结合厚度约1mm 的熔覆层;熔覆层主要由枝晶(γ-Co)和共晶组织(Cr23C6+γ-Co)构成,初生相为γ-Co过饱和固溶体,富含Cr 元素,共晶组织中富含Co 元素;结合区为粗大柱状晶,从中部到表层出现胞状晶、树枝晶等多种形态;离界面越远组织越细密,且组织生长方向紊乱;结合区存在元素扩散,尤其是Fe、Cr 和Co 含量变化显著;激光熔覆Co 基合金后轮轨硬度分别提高约52.98%和43.44%,能有效降低对摩副磨损,轮轨抗磨损能力提高约为原来的5 倍.单一熔覆车轮时,轮轨摩擦系数与磨损率随轴重增加而增大,车轮磨损率仅为钢轨的1/5-1/8;随时间增加,轮轨磨损量呈线性增长趋势;随轴重增加,轮轨表面损伤越严重,相同条件下,车轮损伤比钢轨轻微,轴重较小时,车轮熔覆层磨损主要为粘着磨损和氧化磨损,钢轨主要为疲劳磨损与氧化磨损.随轴重增加,轮轨主要为严重疲劳损伤,氧化磨损较为轻微.本试验研究结果可为重载运输轮轨维护与维修提供技术指导,但实际轮轨系统中,需要综合考虑轮轨磨损与损伤,使轮轨材料达到最佳匹配,以达到最佳的经济利益.
一种制备高温超导涂层导体SrZrO
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缓冲层薄膜的方法
本发明公开了一种制备高温超导涂层导体SrZrO3缓冲层薄膜的方法,涉及高温超导材料制备技术领域,该方法制备的薄膜有极好的化学兼容性,能有效地阻挡Ni和ReBCO中的Cu的相互扩散。本发明制备过程包括以下步骤:将乙酸锶和乙酰丙酮锆溶解在丙酸中,形成无水溶液;向无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB),制成成膜性好的胶体;再将胶体涂覆在基片上,干燥后,放入烧结炉中烧结成相,即得锶锆氧(SrZrO3)高温超导涂层导体缓冲层。
统计原理与实务
本书共十个项目,分别为:绪论、统计数据搜集、统计数据的整理、总理指标和相对指标、数据分布特征的描述、抽样推断、时间数列等。
一种制备高温超导涂层导体BaZrO3缓冲层薄膜的方法
本发明公开了一种制备高温超导涂层导体BaZrO3缓冲层薄膜的方法,属于高温超导材料制备技术领域。该方法制备的薄膜有极好的化学兼容性,能有效地阻挡Ni和ReBCO中的Cu的相互扩散。本发明包括以下步骤:将乙酸钡和乙酰丙酮锆溶解在丙酸中,形成无水溶液;向无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB),制成成膜性好的胶体;再将胶体涂覆在基片上,干燥后,放入烧结炉中烧结成相,即得钡锆氧(BaZrO3)高温超导涂层导体缓冲层。该方法成本不高,制作工艺简单,操作控制容易,不污染环境。
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